最新動態(tài)/news
聯(lián)系我們/contact
地 址：鄭州市高新技術開發(fā)區(qū)科學大道
聯(lián)系人：韓經理
手 機：15136275698
微 信：15136275698
網 址：dogumgunuizmir.com
河南金嶺環(huán)保技術有限公司 > 新聞動態(tài) > 正文
聚焦未來半導體材料碳化硅的革命性進展
作者 金嶺環(huán)保
瀏覽
發(fā)布時間 17-11-23
第三代半導體材料主要包括碳化硅、金剛石、氮化鎵等，相比第一代、第二代半導體材料，第三代半導體材料具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子微波射頻器件的核心，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，正在成為全球半導體產業(yè)新的戰(zhàn)略高地。
碳化硅被半導體界公認為是一種未來的材料，是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽w材料，促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅材料的負載量已經達到極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。
碳化硅屬于寬禁帶半導體，物理特性與硅有很大不同，碳化硅耐高溫，導熱率超過銅的導熱率，器件產生的熱量會快速傳遞，這無疑對器件的通流性能提高非常有利。碳化硅還有很強的耐輻射性，做成的器件可以在核反應堆附近及太空中電子設備應用。
因此，可以預見到不久的將來，碳化硅材料和器件工藝的完善，部分硅領域被碳化硅來替代是指日可待的。
